最高層ＮＡＮＤ、ペタ級ストレージ…「韓国半導体」また一歩リード



世界最大フラッシュメモリー半導体行事で「Ｋ（韓国）－半導体」が一次元高い技術で注目を受けた。ＳＫハイニックスは２３８層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリーを世界で初めて公開し、サムスン電子はサーバーの保存空間を従来より５倍ほど拡大した１ペタ（１０００兆）バイト級ストレージソリューションを出した。

ＳＫハイニックスは２日（現地時間）、米サンタクララで開幕した「フラッシュメモリサミット２０２２」（ＦＭＳ２０２２）で「２３８層５１２ギガビットＴＬＣ　４Ｄ　ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」を公開した。現存するメモリー半導体のうち最高層だ。これまでは先月２７日に米マイクロンが量産を始めると明らかにした２３２層ＮＡＮＤが最高層だった。

ＮＡＮＤは電源が切れてもデータが保存されるメモリー半導体で、業界で２００層以上は「夢の技術」と呼ばれる。ＴＬＣはセル１個に３ビットを保存できるという意味で、層が高いほど同じ面積に高容量を実現できる。

保存容量は増えたが、高難度設計技術を適用して世界で最も小さく具現した。このため性能と効率が高まった。ＳＫハイニックスの関係者は「データ伝送速度は１秒あたり２．４Ｇｂで、従来の１７６層より５０％ほど速くなり、チップがデータを読む時に使用するエネルギー使用量は２１％減少した」と話した。

ＳＫハイニックスの崔正達（チェ・ジョンダル）副社長は「コスト・性能・品質の側面で世界最高の競争力を確保した」とし「来年上半期にＰＣ保存装置のｃＳＳＤに入る２３８層製品を先に量産する計画」と述べた。ソウル大の黄哲盛（ファン・チョルソン）客員教授は「現在、業界が主に量産する製品は１２８層で、それだけ高難度技術を具現した」と評価した。

サムスン電子は積層技術よりもデータ保存・処理・管理に関連する技術進歩に焦点を合わせた。この日に公開した「ペタバイトストレージ」は保存容量を１０００兆バイトまで拡張できるようフォームファクターとスタック構造を備えた。１ペタバイトは映画（約６ＧＢ）１７万４０００本を保存できる容量。

半導体業界の関係者は「現在最大２００テラバイト水準のストレージを運営してきたが、これより５倍ほど増えたソリューション」とし「保存単位が一次元アップグレードされた」と話した。人工知能（ＡＩ）・マシンラーニング（ＭＬ）・ビッグデータなどが急成長しながら大容量メモリーが必須要素として登場し、これに合わせた半導体技術を出したという説明だ。

サムスンはこの日、処理速度を画期的に改善した「メモリーセマンティックＳＳＤ」も公開した。従来のＳＳＤよりデータ読み取り・応答速度を最大２０倍向上させた。

サムスン電子のチェ・ジンヒョク副社長は「ＡＩ・メタバース・モノのインターネット（ＩｏＴ）・自動運転などが拡大し、産業地形がデータ中心に変わっている」とし「サムスンはデータの移動・保存・処理分野で市場を先導していく」と述べた。

今月２－４日（現地時間）のフラッシュメモリサミットは世界最大のフラッシュメモリ半導体行事に挙げられる。２００５年に始まり、米国の展示会社カンファレンスコンセプトが主催する。市場調査会社オムディアによると、１－３月期のＮＡＮＤ市場シェアはサムスン電子が３５．５％で最も多く、日本キオクシア（１９％）、ＳＫハイニックス（１８．１％）、米国ウエスタンデジタル（１２．２％）の順だった。

中央日報日本語版
https://japanese.joins.com/JArticle/293968
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